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厂商型号:

IRF530SPBF

芯天下内部编号:
5-IRF530SPBF
生产厂商:

vishay / semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3D2PAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 100 V
最大连续漏极电流 14 A
RDS -于 160@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 10 ns
典型上升时间 34 ns
典型关闭延迟时间 23 ns
典型下降时间 24 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Bulk
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±20
Package Width 9.65(Max)
PCB 2
最大功率耗散 3700
最大漏源电压 100
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Drain Source Resistance 160@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 D2PAK
标准包装名称 D2PAK
最高工作温度 175
渠道类型 N
Package Length 10.41(Max)
引脚数 3
Package Height 4.83(Max)
最大连续漏极电流 14
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
P( TOT ) 88W
匹配代码 IRF530SPBF
R( THJC ) 1.7K/W
LogicLevel NO
单位包 50
标准的提前期 12 weeks
最小起订量 1000
Q(克) 26nC
无铅Defin RoHS-conform
汽车 NO
我(D ) 14A
V( DS ) 100V
技术 Gen. 3
的RDS(on ) at10V 0.16Ohm
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 14A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装 TO-263 (D2Pak)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 160 mOhm @ 8.4A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.7W
漏极至源极电压(Vdss) 100V
输入电容(Ciss ) @ VDS 670pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 26nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 14 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 160 mOhms
功率耗散 3.7 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 34 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 100 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
下降时间 24 ns
栅源电压(最大值) �20 V
漏源导通电阻 0.16 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 D2PAK
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 100 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :14A
Drain Source Voltage Vds :100V
On Resistance Rds(on) :160mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :4V
No. of Pins :3
Weight (kg) 0.00159
Tariff No. 85411000

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