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厂商型号:

BPW17N

芯天下内部编号:
5-BPW17N
生产厂商:

vishay / semiconductor

microsemi
描述:
P
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 2T-3/4
类型 Chip
光电晶体管类型 Phototransistor
最大的发射极集电极电压 5 V
最大集电极电流 50 mA
峰值波长 825 nm
镜片颜色 Water Clear
透镜形状类型 Domed
镜头规格 1.8 mm
观看方向 Top View
半强度角度 24 °
极性 NPN
标准包装 Bulk
产品种类 Phototransistors
RoHS RoHS Compliant
最大功率耗散 100 mW
最大暗电流 200 nA
封装/外壳 T-3/4
集电极 - 发射极最大电压VCEO 32 V
集电极 - 发射极击穿电压 32 V
集电极 - 发射极饱和电压 0.3 V
最高工作温度 + 100 C
最低工作温度 - 40 C
封装 Bulk
产品 Phototransistors
工厂包装数量 5000
波长 825 nm
Maximum Light Current 1000(Typ)
安装 Through Hole
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.3
Package Width 2.4
PCB 2
最大功率耗散 100
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的通道数 1
最大暗电流 200
峰值波长 825
Maximum Collector Emitter Voltage 32
供应商封装形式 T-3/4
标准包装名称 T-3/4
最高工作温度 100
最大的发射极集电极电压 5
Package Length 3.3
半强度角度 24
引脚数 2
Package Height 2.9
最大集电极电流 50
匹配代码 BPW17N
探测角度
V( CEO ) 32V
单位包 1000
标准的提前期 6 weeks
最小起订量 5000
Sens.range分 100nm
上升/下降时间 4.8ns
SMD / THT THT
暗电流为100nA 0.5nA
汽车 NO
Max.sensivity 825nm
Sens.range最大 24nm
电流 - 暗( Id)(最大) 200nA
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1mA
定位 Top View
安装类型 Through Hole
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 32V
可视角度 24°
功率 - 最大 100mW
其他名称 751-1011
封装/外壳 Radial
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶体管极性 :NPN
Wavelength Typ :825nm
功耗 :100mW
Transistor Case Style :T-3/4 (1.8mm)
No. of Pins :2
Angle of Half Sensitivity ± :12°
Current Ic Typ :1mA
External Length / Height :2.9mm
Fall Time tf :3.7µs
引线间距 :2.54mm
Nom Sensitivity @ mW/cm² :1mA @ 1mW/cm²
Peak Spectral Response Wavelength :950nm
上升时间 :3.7µs
Sensitivity @ mW / cm² Max :1.0@1
Sensitivity @ mW / cm² Min :0.5@1
晶体管类型 :Photo
Voltage Vcc :5V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85414010

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