所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
Type | Description |
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包装 | 2T-3/4 |
类型 | Chip |
光电晶体管类型 | Phototransistor |
最大的发射极集电极电压 | 5 V |
最大集电极电流 | 50 mA |
峰值波长 | 825 nm |
镜片颜色 | Water Clear |
透镜形状类型 | Domed |
镜头规格 | 1.8 mm |
观看方向 | Top View |
半强度角度 | 24 ° |
极性 | NPN |
标准包装 | Bulk |
产品种类 | Phototransistors |
RoHS | RoHS Compliant |
最大功率耗散 | 100 mW |
最大暗电流 | 200 nA |
封装/外壳 | T-3/4 |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 32 V |
集电极 - 发射极击穿电压 | 32 V |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.3 V |
最高工作温度 | + 100 C |
最低工作温度 | - 40 C |
封装 | Bulk |
产品 | Phototransistors |
工厂包装数量 | 5000 |
波长 | 825 nm |
Maximum Light Current | 1000(Typ) |
安装 | Through Hole |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.3 |
Package Width | 2.4 |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 100 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的通道数 | 1 |
最大暗电流 | 200 |
峰值波长 | 825 |
Maximum Collector Emitter Voltage | 32 |
供应商封装形式 | T-3/4 |
标准包装名称 | T-3/4 |
最高工作温度 | 100 |
最大的发射极集电极电压 | 5 |
Package Length | 3.3 |
半强度角度 | 24 |
引脚数 | 2 |
Package Height | 2.9 |
最大集电极电流 | 50 |
匹配代码 | BPW17N |
探测角度 | 5° |
V( CEO ) | 32V |
单位包 | 1000 |
标准的提前期 | 6 weeks |
最小起订量 | 5000 |
Sens.range分 | 100nm |
上升/下降时间 | 4.8ns |
SMD / THT | THT |
暗电流为100nA | 0.5nA |
汽车 | NO |
Max.sensivity | 825nm |
Sens.range最大 | 24nm |
电流 - 暗( Id)(最大) | 200nA |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 1mA |
定位 | Top View |
安装类型 | Through Hole |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 32V |
可视角度 | 24° |
功率 - 最大 | 100mW |
其他名称 | 751-1011 |
封装/外壳 | Radial |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
晶体管极性 | :NPN |
Wavelength Typ | :825nm |
功耗 | :100mW |
Transistor Case Style | :T-3/4 (1.8mm) |
No. of Pins | :2 |
Angle of Half Sensitivity ± | :12° |
Current Ic Typ | :1mA |
External Length / Height | :2.9mm |
Fall Time tf | :3.7µs |
引线间距 | :2.54mm |
Nom Sensitivity @ mW/cm² | :1mA @ 1mW/cm² |
Peak Spectral Response Wavelength | :950nm |
上升时间 | :3.7µs |
Sensitivity @ mW / cm² Max | :1.0@1 |
Sensitivity @ mW / cm² Min | :0.5@1 |
晶体管类型 | :Photo |
Voltage Vcc | :5V |
Weight (kg) | 0.002 |
Tariff No. | 85414010 |
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