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数量:0 |
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| 规格书 |
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| Status | Active |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 10.5@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-263 |
| 最大功率耗散 | 250000 |
| 最大连续漏极电流 | 85 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 85 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 10.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 3.75 W |
| 商品名 | TrenchFET |
| 封装/外壳 | TO-263-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 上升时间 | 90 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | No |
| 下降时间 | 130 ns |
| 系列 | SUB |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 身高 | 4.83 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 长度 | 10.67 mm |
| 技术 | Si |
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