图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 SIHF8N50D |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 8.7A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 850 mOhm @ 4A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 30nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 527pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 33W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-220 Full Pack |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 1000 |
| 最小起订量 | 1000 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8.7A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商设备封装 | TO-220 Full Pack |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 850 mOhm @ 4A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 33W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 527pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 30nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SIHF8N50D-E3CT |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 5 V |
| 连续漏极电流 | 8.7 A |
| RDS（ON） | 850 mOhms |
| 功率耗散 | 33 W |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :8.7A |
| Drain Source Voltage Vds | :500V |
| On Resistance Rds(on) | :0.7ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| 功耗 | :33W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-220FP |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8.7A (Tc) |
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