图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 SI7421DN |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6.4A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 25 mOhm @ 9.8A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 40nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | PowerPAK® 1212-8 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8PowerPAK 1212 |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 6.4 A |
| RDS -于 | 25@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 13 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 57 ns |
| 典型下降时间 | 42 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6.4A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 25 mOhm @ 9.8A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 40nC @ 10V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI7421DN-T1-E3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 系列 | SI7 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
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