1. SI6469DQ-T1-E3
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厂商型号

SI6469DQ-T1-E3 

产品描述

MOSFET 8V 6A 1.5W

内部编号

5-SI6469DQ-T1-E3

生产厂商

Vishay / Siliconix

VISHAY

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SI6469DQ-T1-E3产品详细规格

规格书 SI6469DQ-T1-E3 datasheet 规格书
SI6469DQ
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 8V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C -
Rds(最大)@ ID,VGS 28 mOhm @ 6A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 450mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 40nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 -
功率 - 最大 -
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
供应商器件封装 8-TSSOP
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±8
安装 Surface Mount
包装宽度 4.4
PCB 8
最大功率耗散 1500
最大漏源电压 8
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 28@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TSSOP
标准包装名称 TSSOP
最高工作温度 150
渠道类型 P
包装长度 3
引脚数 8
通道模式 Enhancement
包装高度 1
最大连续漏极电流 6
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 450mV @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 8V
标准包装 3,000
供应商设备封装 8-TSSOP
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 28 mOhm @ 6A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
封装/外壳 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
闸电荷(Qg ) @ VGS 40nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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