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| 规格书 |
 SI5858DU |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 16nC @ 8V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 520pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 8.3W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® ChipFet Dual |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® ChipFet Dual |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 8.3W |
| 封装/外壳 | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 520pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 16nC @ 8V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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