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IMC1812RQR22K图片

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IMC1812RQR22K 

产品描述

Ind Chip Molded Wirewound 220nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 T/R

内部编号

5-IMC1812RQR22K

生产厂商

vishay / dale

VISHAY

订购说明

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原厂背书质量,全面技术支持

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IMC1812RQR22K产品详细规格

规格书 IMC1812RQR22K datasheet 规格书
IMC1812
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装 2,000
电感 220nH
当前 450mA
电流 - 饱和 -
电流 - 温升 -
型 Non-Magnetic Core
公差 ±10%
屏蔽 Unshielded
直流电阻（DCR） 400 mOhm Max
Q因子@ 30 @ 25.2MHz
频率 - 自谐振 350MHz
应用 General Purpose
材料 - 核 Non-Magnetic
包/盒 1812 (4532 Metric)
安装类型 Surface Mount
包装材料 Tape & Reel (TR)
操作温度 -55°C ~ 125°C
频率 - 测试 25.2MHz
封装/外壳 1812
类型 Chip
电感 220 nH
最大直流电流 450 mA
容差 10 %
最大直流电阻 400 mOhm
最小质量系数 30@25.2MHz
产品高度 3.4 mm
标准包装 Tape & Reel
封装 Tape & Reel (TR)
额定电流 450mA
直流电阻（DCR ） 400 mOhm Max
高度 - 座高（最大） 0.134" (3.40mm)
材料 - 芯 Non-Magnetic
频率 - 自谐振 350MHz
屏蔽 Unshielded
供应商设备封装 1812
尺寸/尺寸 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)
工作温度 -55°C ~ 125°C
Q因子@频率 30 @ 25.2MHz
安装类型 Surface Mount
封装/外壳 1812 (4532 Metric)
频率 - 测试 25.2MHz
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

IMC1812RQR22K系列产品

型号厂家产品描述
IMC1812RQR22J vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 220nH 5% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 T/R
IMC1812RQR22M vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 220nH 20% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 T/R
IMC1812RQR10K vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 100nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 T/R
IMC1812RQR10M vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 100nH 20% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 T/R
IMC1812RQR12K vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 120nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 T/R
IMC1812RQR15K vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 150nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 T/R
IMC1812RQR15M vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 150nH 20% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 T/R
IMC1812RQR18K vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 180nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 T/R
IMC1812RQR18M vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 180nH 20% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 T/R
IMC1812RQR24J vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 240nH 5% 1812 T/R
IMC1812RQR27K vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 270nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 T/R
IMC1812RQR27M vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 270nH 20% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 T/R
IMC1812RQR33J vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 330nH 5% 25.2MHz 30Q-Factor 430mA 1812 T/R
IMC1812RQR33K vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 330nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor 430mA 1812 T/R
IMC1812RQR33M vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 330nH 20% 25.2MHz 30Q-Factor 430mA 1812 T/R
IMC1812RQR39J vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 390nH 5% 25.2MHz 30Q-Factor 380mA 1812 T/R
IMC1812RQR39K vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 390nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor 380mA 1812 T/R
IMC1812RQR39M vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 390nH 20% 25.2MHz 30Q-Factor 380mA 1812 T/R
IMC1812RQR47J vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 470nH 5% 25.2MHz 30Q-Factor 355mA 1812 T/R
IMC1812RQR47K vishay / dale Ind Chip Molded Wirewound 470nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor 355mA 1812 T/R

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