图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

TSM1N60SCT 

产品描述

MOSFET 600V 1A N channel MOSFET

内部编号

465-TSM1N60SCT

生产厂商

Taiwan Semiconductor

TAIWAN-SEMICONDUCTOR

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

TSM1N60SCT产品详细规格

规格书 TSM1N60SCT datasheet 规格书
TSM1N60SCT datasheet 规格书
Status Active
工厂包装数量 2000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 30 V
连续漏极电流 0.3 A
安装风格 Through Hole
RDS(ON) 13 Ohms
封装 Ammo
功率耗散 3 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 TO-92
典型关闭延迟时间 25 ns
零件号别名 A3
上升时间 20 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 600 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 24 ns

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