CEL
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| Type | Description |
|---|---|
| 晶体管类型 | HFET |
| 电压 - 额定 | 4V |
| 噪声系数 | 0.35dB |
| 标准包装 | 2,000 |
| 供应商设备封装 | S02 |
| 电压 - 测试 | 2V |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 频率 | 12GHz |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD, Flat Leads |
| 电流 - 测试 | 10mA |
| 额定电流 | 70mA |
| 其他名称 | NE3512S02-T1C-ACT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类型 | GaAs HEMT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 漏源电压VDS | 4 V |
| 产品种类 | Transistors RF JFET |
| 源极击穿电压 | - 3 V |
| 连续漏极电流 | 70 mA |
| 正向跨导 - 闵 | 55 mS |
| 产品 | RF JFET |
| 功率耗散 | 165 mW |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 电流 - 测试 | 10mA |
| 噪声系数 | 0.35dB |
| 晶体管类型 | HFET |
| 电压 - 测试 | 2V |
| 增益 | 13.5dB |
| 额定电流 | 70mA |
| 封装/外壳 | 4-SMD, Flat Leads |
| 频率 | 12GHz |
| 电压 - 额定 | 4V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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