图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Status | Active |
| 包装 | 8SOIC |
| 渠道类型 | N|P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| RDS -于 | 7000@10V@N Channel|8000@10V@P Channel mOhm |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 15 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 引脚数 | 8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装高度 | 1.37 |
| 最大漏源电阻 | 7000@10V@N Channel|8000@10V@P Cha... |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 包装宽度 | 3.91 |
| 供应商封装形式 | SOIC |
| 包装长度 | 4.89 |
| PCB | 8 |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 7000 mOhms at N Channel, 8000 mOhms at P Channel |
| 封装 | Reel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | DFN-8 |
| 上升时间 | 15 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOIC |
| 极性 | N/P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 200 V |
| 弧度硬化 | No |
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