所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6DIP |
| 输入类型 | AC |
| 输出类型 | DC |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 典型正向电压 | 1.2 V |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 最大上升时间 | 10 us |
| 最大正向电压 | 1.5 V |
| 最小绝缘电压 | 5000 Vrms |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 400 mV |
| 最大输入电流 | 60 mA |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 工作温度 | -55 to 100 °C |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 产品种类 | Transistor Output Optocouplers |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 隔离电压 | 5000 Vrms |
| 电流传输比 | 100 % |
| 最大集电极电流 | 50 nA |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | DIP-6 |
| 系列 | H11AAX |
| 封装 | Tube |
| 正向电流 | 10 mA |
| 最大下降时间 | 10 us |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 电流传输比(最小值) | 100% @ ±10mA |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度(最大) | 400mV |
| 电压 - 输出 | 80V |
| 通道数 | 1 |
| 电流 - DC正向(If ) | 60mA |
| 电压 - 隔离 | 5000Vrms |
| 其他名称 | H11AA4EL |
| 封装/外壳 | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入类型 | AC, DC |
| 电压 - 隔离 | 5000Vrms |
| 电流传输比(最小值) | 100% @ 10mA |
| 封装/外壳 | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 通道数 | 1 |
| 装配类型 | Through Hole |
| 输出类型 | Transistor with Base |
| Vce 饱和值(最大值) | 400mV |
| 工厂包装数量 | 65 |
| 下降时间 | 10 us |
| If - Forward Current | 10 mA |
| 品牌 | Everlight |
| 长度 | 7.12 mm |
| 上升时间 | 10 us |
| Vf - Forward Voltage | 1.2 V |
| 身高 | 4.5 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 80 V |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
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