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厂商型号

TRD136DT4 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT High Voltage NPN 700V VCES 400V VCEO

内部编号

390-TRD136DT4

生产厂商

STMicroelectronics

stm

#1

数量:2345
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美国费城
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TRD136DT4产品详细规格

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TRD136D
TRD136DT4 datasheet 规格书
文档 TRD136D View All Specifications
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标准包装 2,500
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic)(最大) 3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 400V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 500mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 10 @ 2A, 5V
功率 - 最大 20W
频率转换 -
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-252, (D-Pak)
包装材料 Tape & Reel (TR)
动态目录 NPN Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-transistors/15147?mpart=TRD136DT4&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
电流 - 集电极( Ic)(最大) 3A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 500mA, 2A
标准包装 2,500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 400V
供应商设备封装 TO-252, (D-Pak)
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 20W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 10 @ 2A, 5V
其他名称 497-11857-2
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
发射极 - 基极电压VEBO 9 V
晶体管极性 NPN
最大功率耗散 20 W
直流集电极/增益hfe最小值 10
集电极最大直流电流 6 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 400 V
安装风格 SMD/SMT
配置 Single
连续集电极电流 3 A
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 1V @ 500mA, 2A
晶体管类型 NPN
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 10 @ 2A, 5V
功率 - 最大值 20W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3A
电压 - 集射极击穿(最大值) 400V

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