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数量:2345 |
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规格书 |
TRD136D |
文档 |
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标准包装 | 2,500 |
晶体管类型 | NPN |
集电极电流(Ic)(最大) | 3A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 500mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 10 @ 2A, 5V |
功率 - 最大 | 20W |
频率转换 | - |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252, (D-Pak) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | NPN Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-transistors/15147?mpart=TRD136DT4&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 3A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 500mA, 2A |
标准包装 | 2,500 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
功率 - 最大 | 20W |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 10 @ 2A, 5V |
其他名称 | 497-11857-2 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
发射极 - 基极电压VEBO | 9 V |
晶体管极性 | NPN |
最大功率耗散 | 20 W |
直流集电极/增益hfe最小值 | 10 |
集电极最大直流电流 | 6 A |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 400 V |
安装风格 | SMD/SMT |
配置 | Single |
连续集电极电流 | 3 A |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 1V @ 500mA, 2A |
晶体管类型 | NPN |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 10 @ 2A, 5V |
功率 - 最大值 | 20W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 400V |
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