STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±30 |
| 安装 | Through Hole |
| Package Width | 2.4(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 27000 |
| 最大漏源电压 | 450 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 3800@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | IPAK |
| 标准包装名称 | IPAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 6.6(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 6.2(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 |
| 封装 | Tube |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 单位包 | 75 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.8A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 450V |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.8 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 27W |
| 标准包装 | 75 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 150pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-12362 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 外形尺寸 | 6.6 x 2.4 x 6.9mm |
| 身高 | 6.9mm |
| 长度 | 6.6mm |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 A |
| 最大漏源电阻 | 3.8 Ω |
| 最大漏源电压 | 450 V |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 27 W |
| 包装类型 | TO-251 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 6 nC @ 10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 150 pF @ 25 V |
| 宽度 | 2.4mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 1.8 A |
| RDS（ON） | 3.8 Ohms |
| 功率耗散 | 27 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | IPAK |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 450 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 6 nC |
| Continuous Drain Current Id | :1.8A |
| Drain Source Voltage Vds | :450V |
| On Resistance Rds(on) | :3.2ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3.75V |
| 功耗 | :27W |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-251 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Weight (kg) | 0.031 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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