STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 70 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 70W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 800pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-2764-5 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 20nC @ 5V |
| 案例 | TO220 |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 70W |
| Drain-source voltage | 60V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 20A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 2.72 g |
| On-state resistance | 60mΩ |
| 安装 | THT |
| Collective package [pcs] | 350 |
| Schematic diagram | see |
| spg | 350 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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