stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大连续漏极电流 | 10 A |
| RDS -于 | 750@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 20 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 典型下降时间 | 30 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 包装宽度 | 4.6(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 115000 |
| 最大漏源电压 | 600 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 750@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-220 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.4(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 9.15(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 10 |
| 封装 | Tube |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 750 mOhm @ 4.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 115W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1370pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-4117-5 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 70nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
| 身高 | 9.15mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 最大漏源电阻 | 0.75 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 115 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-220 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 50 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 1370 pF V @ 25 |
| 宽度 | 4.6mm |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 10 A |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| 下降时间 | 30 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.050717 oz |
| 正向跨导 - 闵 | 7.8 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| RDS（ON） | 750 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 115 W |
| 上升时间 | 20 ns |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅极电荷Qg | 50 nC |
| 漏极电流（最大值） | 10 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.75 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 600 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :10A |
| Drain Source Voltage Vds | :600V |
| On Resistance Rds(on) | :750mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3.75V |
| 功耗 | :115W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-220 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Alternate Case Style | :SOT-78B |
| Avalanche Single Pulse Energy Eas | :300mJ |
| Capacitance Ciss Typ | :1370pF |
| Current Id Max | :10A |
| Current Temperature | :25°C |
| Device Marking | :STP10NK60Z |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| 引线间距 | :2.54mm |
| No. of Transistors | :1 |
| On State resistance @ Vgs = 10V | :750mohm |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 引脚配置 | :a |
| Power Dissipation Ptot Max | :115W |
| Pulse Current Idm | :36A |
| Reverse Recovery Time trr Typ | :570ns |
| Voltage Vds Typ | :600V |
| Voltage Vgs Max | :30V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Voltage Vgs th Max | :4.5V |
| Voltage Vgs th Min | :3V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 案例 | TO220 |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 115W |
| Drain-source voltage | 600V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 10A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 2.76 g |
| On-state resistance | 750mΩ |
| Collective package [pcs] | 150 |
| Schematic diagram | see |
| spg | 150 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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