STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 50 |
| 最小起订量 | 1000 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 18A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 供应商设备封装 | TO-220FP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 190 mOhm @ 9A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 标准包装 | 50 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1345pF @ 100V |
| 其他名称 | 497-13532 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 45nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 650 V |
| 连续漏极电流 | 18 A, 72 A |
| RDS（ON） | 190 mOhms |
| 功率耗散 | 130 W |
| 下降时间 | 7.5 ns |
| 封装/外壳 | TO-220 FP |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 36 nC |
| 高度 | 16.4mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.4mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1434 pF@ 10 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ |
| 通道类型 | N |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最大功率耗散 | 30 W |
| 最大栅源电压 | ±25 V |
| 宽度 | 4.6mm |
| 尺寸 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大漏源电压 | 710 V |
| 典型接通延迟时间 | 43 ns |
| 典型关断延迟时间 | 43 ns |
| 封装类型 | TO-220FP |
| 最大连续漏极电流 | 18 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 36 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 650 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 190 mOhms |
| 系列 | MDmesh M5 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Id - Continuous Drain Current | 18 A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| 通道数 | 1 Channel |
| Qg - Gate Charge | 36 nC |
| Pd - Power Dissipation | 130 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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