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厂商型号:

STD3N62K3

芯天下内部编号:
390-STD3N62K3
生产厂商:

stmicroelectronics

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 620 V
最大连续漏极电流 2.7 A
RDS -于 2500@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 9 ns
典型上升时间 6.8 ns
典型关闭延迟时间 22 ns
典型下降时间 15.6 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 DPAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 2500@10V
最大漏源电压 620
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 DPAK
最大功率耗散 45000
最大连续漏极电流 2.7
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
P( TOT ) 45W
匹配代码 STD3N62K3
R( THJC ) 2.78K/W
LogicLevel NO
单位包 2500
标准的提前期 10 weeks
最小起订量 2500
Q(克) 13nC
LLRDS (上) n.s.Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 n.s.V
我(D ) 2.7A
V( DS ) 620V
技术 SuperMESH3
的RDS(on ) at10V 2.5Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.7A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.5V @ 50µA
漏极至源极电压(Vdss) 620V
供应商设备封装 D-Pak
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 45W
输入电容(Ciss ) @ VDS 385pF @ 25V
其他名称 497-8478-2
闸电荷(Qg ) @ VGS 13nC @ 10V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
外形尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
身高 2.4mm
长度 6.6mm
最大漏源电阻 2.5 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 45 W
包装类型 TO-252
典型栅极电荷@ VGS 13 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 385 pF V @ 25
宽度 6.2mm
漏极电流(最大值) 2.7 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �30 V
输出功率(最大) Not Required W
功率耗散 45 W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 2.5 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
连续漏极电流 2.7 A
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :2.7A
Drain Source Voltage Vds :620V
On Resistance Rds(on) :2.2ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :3.75V
功耗 :45W
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-252
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Weight (kg) 0.0345
Tariff No. 85412900

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