STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 400V |
| 供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.4 Ohm @ 900mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 165pF @ 50V |
| 其他名称 | 497-13265-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 1.8 A |
| RDS（ON） | 3.4 Ohms |
| 功率耗散 | 30 W |
| 封装/外壳 | DPAK |
| 栅极电荷Qg | 11 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 上升时间 | 8 ns |
| 漏源击穿电压 | 400 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 14 ns |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | DPAK |
| 引脚数 | 2 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 400 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V |
| Qg - Gate Charge | 11 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 1.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.4 Ohms |
| 系列 | N-channel MDmesh |
| Pd - Power Dissipation | 30 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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