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厂商型号:

STD18NF25

芯天下内部编号:
390-STD18NF25
生产厂商:

stmicroelectronics

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 250 V
最大连续漏极电流 17 A
RDS -于 165@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 8.8 ns
典型上升时间 17.2 ns
典型关闭延迟时间 21 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 DPAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 165@10V
最大漏源电压 250
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 DPAK
最大功率耗散 110000
最大连续漏极电流 17
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 17A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 250V
供应商设备封装 D-Pak
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 165 mOhm @ 8.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 110W
输入电容(Ciss ) @ VDS 1000pF @ 25V
其他名称 497-10299-2
闸电荷(Qg ) @ VGS 29.5nC @ 10V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 17 A
RDS(ON) 165 mOhms
功率耗散 110 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 DPAK-3
栅极电荷Qg 29.5 nC
上升时间 17.2 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 250 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 8.8 ns
栅源电压(最大值) �20 V
漏源导通电阻 0.165 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 DPAK
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 250 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
工厂包装数量 2500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 250 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 29.5 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
品牌 STMicroelectronics
通道数 1 Channel
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 17 A
Rds On - Drain-Source Resistance 165 mOhms
系列 N-channel STripFET
Pd - Power Dissipation 110 W
技术 Si

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