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| 规格书 |
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| 文档 |
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013 STB13NK60ZT4 View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | STB13NK60ZT4 View All Specifications |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 13A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 550 mOhm @ 4.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4.5V @ 100µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 92nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2030pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大连续漏极电流 | 13 A |
| RDS -于 | 550@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 22 ns |
| 典型上升时间 | 14 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 61 ns |
| 典型下降时间 | 12 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 包装宽度 | 9.35(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 150000 |
| 最大漏源电压 | 600 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 550@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.4(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 4.6(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 13 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 150W |
| 匹配代码 | STB13NK60ZT4 |
| R（ THJC ） | 0.83K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 14 weeks |
| 最小起订量 | 1000 |
| Q（克） | 92nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | 13A |
| V（ DS ） | 600V |
| 技术 | SuperMESH |
| 的RDS（on ） at10V | 0.55Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 13A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 100µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 550 mOhm @ 4.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2030pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 92nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 497-6546-1 |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm |
| 身高 | 4.6mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 最大漏源电阻 | 0.55 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 典型栅极电荷@ VGS | 66 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 2030 pF V @ 25 |
| 宽度 | 9.35mm |
| 漏极电流（最大值） | 13 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 150 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.55 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 600 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 13 A |
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