stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SOT-32 |
| 配置 | Single |
| 类型 | PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 峰值直流集电极电流 | 4 A |
| 最小直流电流增益 | 750@1.5A@3V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2.5@30mA@1.5A V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | SOT-32 |
| 标准包装名称 | TO-126 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Tube |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2.5@30mA@1.5A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 4 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 40000 |
| P（ TOT ） | 40W |
| 匹配代码 | BD680 |
| I（C ） | 4A |
| V（ CEO ） | 80V |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 12 weeks |
| 最小起订量 | 50 |
| 极化 | PNP |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 电流增益 | 750 |
| V（ CBO ） | 80V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 4A |
| 晶体管类型 | PNP - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | SOT-32-3 |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 750 @ 1.5A, 3V |
| 其他名称 | 497-5716 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 外形尺寸 | 7.8 x 2.7 x 10.8mm |
| 身高 | 10.8mm |
| 长度 | 7.8mm |
| 最大集电极基极电压 | 80 V |
| 最大集电极截止电流 | 0.2mA |
| 最大连续集电极电流 | 4 A |
| 最大基地发射极电压 | 5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 包装类型 | SOT-32 |
| 宽度 | 2.7mm |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 750 |
| 集电极最大直流电流 | 4 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 40 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 4 A |
| 集电极 - 基极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2.5 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 极性 | PNP |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 750 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 4 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :60V |
| 功耗 | :40W |
| DC Collector Current | :4A |
| DC Current Gain hFE | :750 |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-32 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Av Current Ic | :4A |
| Collector Emitter Voltage Vces | :-2.5V |
| 连续集电极电流Ic最大 | :4A |
| Current Ic Continuous a Max | :4A |
| Current Ic hFE | :1.5A |
| Device Marking | :BD680 |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Hfe Min | :750 |
| No. of Transistors | :1 |
| Power Dissipation Ptot Max | :40W |
| Voltage Vcbo | :80V |
| Weight (kg) | 0.00064 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current,Gain | 750 |
| Current,Input | -0.1A |
| Current,Output | -4A |
| PackageType | SOT-32 |
| PowerDissipation | 40W |
| PrimaryType | Si |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | -2.5V |
| Voltage,Input | -5V |
| Voltage,Output | -80V |
| 案例 | TO126 |
| Transistor kind | Darlington |
| Transistor type | PNP |
| 功率 | 40W |
| Collector-emitter voltage | 80V |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 1.29 g |
| Collector current | 4A |
| Collective package [pcs] | 25 |
| spg | 25 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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