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厂商型号

STGD7NB120S-1 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK

内部编号

390-STGD7NB120S-1

生产厂商

stmicroelectronics

stm

#1

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美国费城
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STGD7NB120S-1产品详细规格

规格书 STGD7NB120S-1 datasheet 规格书
STGD7NB120S-1 datasheet 规格书
STGD7NB120S-1
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 75
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 7A
- 集电极电流(Ic)(最大) 10A
功率 - 最大 55W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
供应商器件封装 I-Pak
包装材料 Tube
包装 3IPAK
配置 Single
最大集电极发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 10 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
栅极电荷 29nc
电流 - 集电极( Ic)(最大) 10A
安装类型 Through Hole
开关能量 3.2mJ (on), 15mJ (off)
时间Td(开/关) @ 25°C 570ns/-
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.1V @ 15V, 7A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 I-Pak
封装 Tube
功率 - 最大 55W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
测试条件 960V, 7A, 1 kOhm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 20A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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