规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
50 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Standard |
漏极至源极电压(VDSS) |
550V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
7A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
1.25 Ohm @ 3.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
4.4V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
16nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
700pF @ 25V |
功率 - 最大 |
35W |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-220-3 Full Pack |
供应商器件封装 |
TO-220SIS |
包装材料
|
Tube |
包装 |
3TO-220NIS |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
550 V |
最大连续漏极电流 |
7 A |
RDS -于 |
1250@10V mOhm |
最大门源电压 |
±30 V |
典型上升时间 |
20 ns |
典型下降时间 |
11 ns |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
安装 |
Through Hole |
标准包装 |
Shrink Tubing - 4 ft sticks |
FET特点 |
Standard |
封装 |
Tube |
安装类型 |
Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
7A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
4.4V @ 1mA |
封装/外壳 |
TO-220-3 Full Pack |
供应商设备封装 |
TO-220SIS |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
1.25 Ohm @ 3.5A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
35W |
漏极至源极电压(Vdss) |
550V |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
700pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
16nC @ 10V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
50 |
Id - Continuous Drain Current |
7 A |
晶体管极性 |
N-Channel |
系列 |
TK7A55D |
品牌 |
Toshiba |
Pd - Power Dissipation |
35 W |
身高 |
15 mm |
安装风格 |
Through Hole |
长度 |
10 mm |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
550 V |
通道数 |
1 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance |
1.25 Ohms |
晶体管类型 |
1 N-Channel |
技术 |
Si |