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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

GT60M323(Q) 

产品描述

IGBT 900V DUAL 60A TO-3P LH

内部编号

369-GT60M323-Q

生产厂商

Toshiba

TOSHIBA

#1

 数量:875
50+¥34.922
250+¥29.1365
500+¥24.985
最小起订金额:￥100
英国伦敦
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GT60M323(Q)产品详细规格

规格书 GT60M323(Q) datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 100
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 900V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
- 集电极电流（Ic）（最大） 60A
功率 - 最大 200W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-3PL
供应商器件封装 TO-3P(LH)
包装材料 Tube

GT60M323(Q)系列产品

型号厂家产品描述
GT60M104 Toshiba Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
GT60M301 Toshiba Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
GT60M303 toshiba Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin TO-3P(LH)
GT60M303(Q) toshiba Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin TO-3P(LH)
GT60M303Q toshiba Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin TO-3P(LH)
GT60J321 toshiba Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-3P(LH)
GT60J322 toshiba Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-3P(LH)
GT60N321 toshiba Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin TO-3P(LH)
GT60N321(Q) toshiba Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin TO-3P(LH)
GT60N322(Q) Toshiba IGBT Transistors IGBT 1000V 57A

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