所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-3PN |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 30 A |
| RDS -于 | 52@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型上升时间 | 15 ns |
| 典型下降时间 | 25 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 30A (Ta) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.5V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3P(N) |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 52 mOhm @ 15A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 5400pF @ 10V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 125nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 15.9 x 4.8 x 19mm |
| 身高 | 19mm |
| 长度 | 15.9mm |
| 最大漏源电阻 | 0.052 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-3PN |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 125 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 5400 pF V @ 10 |
| 宽度 | 4.8mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 30 A |
| RDS(ON) | 52 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 150 W |
| 上升时间 | 15 ns |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 25 ns |
| 高度 | 19mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 15.9mm |
| 典型输入电容值@Vds | 5400 pF V @ 10 |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 0.052 Ω |
| 引脚数目 | 3 |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 150000 mW |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 4.8mm |
| 尺寸 | 15.9 x 4.8 x 19mm |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 封装类型 | TO-3PN |
| 最大连续漏极电流 | 30 A |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 125 nC V @ 10 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Toshiba |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 30 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 52 mOhms |
| 系列 | 2SK3176 |
| Pd - Power Dissipation | 150 W |
| 技术 | Si |
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