Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | P |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 170@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | SuperSOT |
| 最大功率耗散 | 960 |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.9 |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.9A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 441pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 4.2nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 441pF @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4.2nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 功率 - 最大值 | 700mW |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
