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Multiple Devices 03/Dec/2009 |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 5.3A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 50 mOhm @ 5.3A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 50nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 950pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 ) |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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