fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-126 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 300 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 A |
| 最小直流电流增益 | 40@10mA@10V |
| 最大工作频率 | 150(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.6@2mA@20mA V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 7000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 |
| Maximum Transition Frequency | 150(Typ) |
| Package Width | 3.25 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 7000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 300 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-126 |
| 标准包装名称 | TO-225-AA |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 8 |
| 最大集电极发射极电压 | 300 |
| Package Height | 11 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Bulk |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 150MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 600mV @ 2mA, 20mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 300V |
| 供应商设备封装 | TO-126 |
| 功率 - 最大 | 7W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 40 @ 10mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 250 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.6 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 40 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 320 |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 300 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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