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Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum DC Collector Current | 0.05 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 安装 | Through Hole |
| Maximum Transition Frequency | 100(Typ) |
| 包装宽度 | 4.19(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 500 |
| 类型 | PNP |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 |
| 最大集电极发射极电压 | 120 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 5.2(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 200@1mA@6V |
| 包装高度 | 5.33(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Ammo |
| 铅形状 | Formed |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 50mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 300mV @ 1mA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1µA |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 120V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 1mA, 6V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 90 mV |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 5 V |
| 最大功率耗散 | 0.5 W |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 200 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 800 |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 120 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 120 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极最大直流电流 | 0.05 A |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 0.05 A |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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