Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 5.8 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 0.35 Ohms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | IPAK |
| 封装 | Tube |
| 下降时间 | 50 ns |
| 正向跨导gFS （最大值/最小值） | 4.6 S |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 100 ns |
| 工厂包装数量 | 70 |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 寿命 | Obsolete |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 |
| 安装 | Through Hole |
| Package Width | 2.3 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 350@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | IPAK |
| 标准包装名称 | IPAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 6.6 |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 6.1 |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.8 |
| 标签 | Tab |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.8A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 标准包装 | 5,040 |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 350 mOhm @ 2.9A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 290pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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