fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3IPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A |
| RDS -于 | 2500@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 25 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | IPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Rail |
| 最大漏源电阻 | 2500@10V |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | IPAK |
| 最大功率耗散 | 35000 |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.5 Ohm @ 1.25A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 35W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 365pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 13nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 70 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 2.5 A |
| 封装/外壳 | IPAK |
| 零件号别名 | FQU3N50CTU_NL |
| 下降时间 | 25 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.012102 oz |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 1.5 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 系列 | FQU3N50C |
| RDS（ON） | 2.1 Ohms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 35 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 25 ns |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| 宽度 | 2.5 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 类型 | MOSFET |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 2.5 A |
| 长度 | 6.8 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.1 Ohms |
| 身高 | 6.3 mm |
| Pd - Power Dissipation | 35 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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