图片仅供参考,产品以实物为准
标准包装 | 5,040 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 600V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 11.5 Ohm @ 500mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 6nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 150pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | I-Pak |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 1A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
标准包装 | 5,040 |
供应商设备封装 | I-Pak |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 11.5 Ohm @ 500mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.5W |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 150pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 6nC @ 10V |
FQU1N60TU相关搜索