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厂商型号

FQPF13N10 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 100V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

内部编号

3-FQPF13N10

#1

数量:146376
1+¥6.3951
25+¥5.9329
100+¥5.7017
500+¥5.4705
1000+¥5.2394
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FQPF13N10产品详细规格

标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 8.7A
Rds(最大)@ ID,VGS 180 mOhm @ 4.35A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 16nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 450pF @ 25V
功率 - 最大 30W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-220F
包装材料 Tube
包装 3TO-220F
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 100 V
最大连续漏极电流 8.7 A
RDS -于 180@10V mOhm
最大门源电压 ±25 V
典型导通延迟时间 5 ns
典型上升时间 55 ns
典型关闭延迟时间 20 ns
典型下降时间 25 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±25
包装宽度 4.7
PCB 3
最大功率耗散 30000
最大漏源电压 100
欧盟RoHS指令 Supplier Unconfirmed
最大漏源电阻 180@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220F
标准包装名称 TO-220F
最高工作温度 175
渠道类型 N
包装长度 10.16
引脚数 3
包装高度 15.87
最大连续漏极电流 8.7
封装 Rail
标签 Tab
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 8.7A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 100V
供应商设备封装 TO-220F
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 180 mOhm @ 4.35A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 30W
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
输入电容(Ciss ) @ VDS 450pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 16nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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