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厂商型号

FQD7P20TF 

产品描述

MOSFET 200V P-Channel QFET

内部编号

3-FQD7P20TF

#1

数量:0
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美国费城
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FQD7P20TF产品详细规格

规格书 FQD7P20TF datasheet 规格书
D-PAK Tape and Reel Data
FQD7P20, FQU7P20
标准包装 2,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 200V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 5.7A
Rds(最大)@ ID,VGS 690 mOhm @ 2.85A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 25nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 770pF @ 25V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±30
安装 Surface Mount
包装宽度 6.1
PCB 2
最大功率耗散 2500
最大漏源电压 200
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 690@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 150
渠道类型 P
包装长度 6.6
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 2.3
最大连续漏极电流 5.7
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 5.7A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 200V
标准包装 2,000
供应商设备封装 D-Pak
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 690 mOhm @ 2.85A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.5W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
输入电容(Ciss ) @ VDS 770pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 25nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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