fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 33 A |
| RDS -于 | 52@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±25 V |
| 典型导通延迟时间 | 15 ns |
| 典型上升时间 | 195 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 典型下降时间 | 110 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±25 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 52@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 最大功率耗散 | 3750 |
| 最大连续漏极电流 | 33 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 33A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 供应商设备封装 | D²PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 52 mOhm @ 16.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.75W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1500pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 51nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FQB33N10TMCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 身高 | 4.83mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 最大漏源电阻 | 0.052 Ω |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 3.75 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 典型栅极电荷@ VGS | 38 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 1150 pF V @ 25 |
| 宽度 | 9.65mm |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 33 A |
| 下降时间 | 110 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.046296 oz |
| 正向跨导 - 闵 | 22 S |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 源极击穿电压 | +/- 25 V |
| 系列 | FQB33N10 |
| RDS（ON） | 52 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 3.75 W |
| 上升时间 | 195 ns |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 漏极电流（最大值） | 33 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �25 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.052 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 100 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :30A |
| Drain Source Voltage Vds | :100V |
| On Resistance Rds(on) | :40mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :127W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-263 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Current Id Max | :33A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| Pulse Current Idm | :132A |
| Rate of Voltage Change dv / dt | :6V/ns |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :100V |
| Voltage Vgs Max | :4V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Voltage Vgs th Max | :4V |
| Voltage Vgs th Min | :2V |
| Weight (kg) | 0.00143 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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