Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TO-3P |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 1900@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 900 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-3P |
| 最大功率耗散 | 240000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 900V |
| 标准包装 | 30 |
| 供应商设备封装 | TO-3P |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.9 Ohm @ 4A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 240W |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2080pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 45nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 900V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2080pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1.9 Ohm @ 4A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 45nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 功率 - 最大值 | 240W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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