fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 18BGA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 9.6 A |
| RDS -于 | 14@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 14 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 典型下降时间 | 11 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.6A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 18-BGA |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 2.1W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1240pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 18nC @ 5V |
| 封装/外壳 | 18-WFBGA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 系列 | PowerTrench® |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1240pF @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 18nC @ 5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 18-WFBGA |
| 功率 - 最大值 | 2.1W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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