所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TSSOP |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | P |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 45@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TSSOP |
| 最大功率耗散 | 1200 |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 3.5A (Ta) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 标准包装 | 2,500 |
| 供应商设备封装 | 8-TSSOP |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.2W |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 1030pF @ 10V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 16nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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