所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TSSOP |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 20@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | TSSOP |
| 最大功率耗散 | 1600 |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.1 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 7.1A |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 供应商设备封装 | 8-TSSOP |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 20 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1.6W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 1000pF @ 10V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 17.3nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 系列 | PowerTrench® |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1000pF @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 20 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17.3nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 功率 - 最大值 | 1.6W |
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