fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SOT-23 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.68 A |
| RDS -于 | 450@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | 8 V |
| 典型导通延迟时间 | 3 ns |
| 典型上升时间 | 8.5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 典型下降时间 | 13 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | 8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 450@4.5V |
| 最大漏源电压 | 25 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最大功率耗散 | 350 |
| 最大连续漏极电流 | 0.68 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 680mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-23 |
| 其他名称 | FDV303NTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 450 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 50pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 2.3nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 2.92 x 1.3 x 0.93mm |
| 身高 | 0.93mm |
| 长度 | 2.92mm |
| 最大漏源电阻 | 0.45 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.35 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 1.64 nC @ 4.5 V |
| 典型输入电容@ VDS | 50 pF @ 10 V |
| 宽度 | 1.3mm |
| 漏极电流（最大值） | 0.68 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | 8 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 0.35 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.45 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 25 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 0.68 A |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :680mA |
| Drain Source Voltage Vds | :25V |
| On Resistance Rds(on) | :600mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :2.7V |
| Threshold Voltage Vgs | :800mV |
| 功耗 | :350mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-23 |
| No. of Pins | :3 |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :680mA |
| Current Temperature | :25°C |
| ESD HBM | :6kV |
| 外部深度 | :2.5mm |
| External Length / Height | :1.12mm |
| 外宽 | :3.05mm |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :2A |
| SMD Marking | :303 |
| 胶带宽度 | :8mm |
| Voltage Vds Typ | :25V |
| Voltage Vgs Max | :800mV |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :4.5V |
| Voltage Vgs th Max | :1.5V |
| Weight (kg) | 0.000033 |
| Tariff No. | 85412900 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 案例 | SOT23 |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 350mW |
| Drain-source voltage | 25V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 680mA |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.04 g |
| Collective package [pcs] | 3000 |
| spg | 3000 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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