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厂商型号:

+FDT457N

芯天下内部编号:
3-FDT457N
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 4SOT-223
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 5 A
RDS -于 60@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 5 ns
典型关闭延迟时间 12 ns
典型下降时间 3 ns
工作温度 -65 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-223
最低工作温度 -65
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
Maximum Drain Source Resistance 60@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-223
最大功率耗散 3000
最大连续漏极电流 5
引脚数 4
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 5A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
供应商设备封装 SOT-223-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 60 mOhm @ 5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.1W
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 235pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 5.9nC @ 5V
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 FDT457NCT
类别 Power MOSFET
配置 Dual Drain, Single
外形尺寸 6.5 x 3.56 x 1.6mm
身高 1.6mm
长度 6.5mm
最大漏源电阻 0.06 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 3 W
最低工作温度 -65 °C
包装类型 SOT-223
典型栅极电荷@ VGS 4.2 nC V @ 5
典型输入电容@ VDS 235 pF V @ 15
宽度 3.56mm
连续漏极电流 5 A
栅源电压(最大值) �20 V
功率耗散 3 W
漏源导通电阻 0.06 ohm
工作温度范围 -65C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 30 V
弧度硬化 No
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :5A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :0.043ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.6V
功耗 :3W
Operating Temperature Min :-65°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-223
No. of Pins :4
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.005
Tariff No. 85411000
Current Id Max :16A
Current Temperature :25°C
外部深度 :7.3mm
External Length / Height :1.7mm
外宽 :6.7mm
Full Power Rating Temperature :25°C
工作温度范围 :-65°C to +150°C
Pulse Current Idm :16A
SMD Marking :FDT457N
胶带宽度 :12mm
端接类型 :SMD
Voltage Vds :30V
Voltage Vgs Max :20V
Voltage Vgs th Max :3V

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