fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOIC N |
| 渠道类型 | N|P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 6.4@N Channel|4.5@P Channel A |
| RDS -于 | 26@10V@N Channel|51@10V@P Channel mOhm |
| 最大门源电压 | ±20@N Channel|±25@P Channel V |
| 典型导通延迟时间 | 4.3@N Channel|6@P Channel ns |
| 典型上升时间 | 2@N Channel|6@P Channel ns |
| 典型关闭延迟时间 | 12@N Channel|17@P Channel ns |
| 典型下降时间 | 2@N Channel|7@P Channel ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20@N Channel|±25@P Channel |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最低工作温度 | -55 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 26@10V@N Channel|51@10V@P Channel |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 最大功率耗散 | 1600 |
| 最大连续漏极电流 | 6.4@N Channel|4.5@P Channel |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6.4A, 4.5A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 26 mOhm @ 6.4A, 10V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 540pF @ 15V |
| 其他名称 | FDS8958BTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 12nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 功率耗散 | 1.6 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 极性 | N/P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 系列 | PowerTrench® |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 540pF @ 15V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 26 mOhm @ 6.4A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 12nC @ 10V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | N and P-Channel |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 功率 - 最大值 | 900mW |
| 高度 | 1.575mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 4.9mm |
| 典型输入电容值@Vds | 405 pF@ 15 V, 570 pF@ -15 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大漏源电阻值 | 39 mΩ，80 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N，P |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 1.6 W，2 W |
| 最大栅源电压 | ±20 (Q1) V，±25 (Q2) V |
| 宽度 | 3.9mm |
| 尺寸 | 4.9 x 3.9 x 1.575mm |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 4.3 (N) ns, 6 (P) ns |
| 典型关断延迟时间 | 12 ns, 17 ns |
| 封装类型 | SOIC |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A，6.4 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 (Q2) nC @ V @ -10，8.3 (Q1) nC @ V @ 10 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel, P-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V, 25 V |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| 下降时间 | 2 nS, 6 nS |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 2 Channel |
| 商品名 | PowerTrench |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 6.4 A |
| 长度 | 4.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 26 mOhms, 51 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | FDS8958B |
| 身高 | 1.75 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| 上升时间 | 2 nS, 6 nS |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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