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厂商型号:

FDS8896

芯天下内部编号:
3-FDS8896
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 8SOIC N
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 15 A
RDS -于 6@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 8 ns
典型上升时间 37 ns
典型关闭延迟时间 60 ns
典型下降时间 24 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOIC
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 6@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOIC N
最大功率耗散 2500
最大连续漏极电流 15
引脚数 8
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 15A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 8-SO
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 6 mOhm @ 15A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.5W
输入电容(Ciss ) @ VDS 2525pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 67nC @ 10V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 FDS8896CT
类别 Power MOSFET
配置 Quad Drain, Single, Triple Source
外形尺寸 5 x 4 x 1.5mm
身高 1.5mm
长度 5mm
最大漏源电阻 0.006 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 2.5 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOIC N
典型栅极电荷@ VGS 50 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 2525 pF V @ 15
宽度 4mm
工厂包装数量 2500
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 16 A
封装/外壳 SOIC-8 Narrow
零件号别名 FDS8896_NL
下降时间 24 ns
产品种类 MOSFET
单位重量 0.006596 oz
RoHS RoHS Compliant
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 FDS8896
RDS(ON) 6 mOhms
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 2.5 W
上升时间 37 ns
漏源击穿电压 30 V
漏极电流(最大值) 15 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �20 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.006 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 30 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :15A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :0.0049ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.2V
功耗 :2.5W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOIC
No. of Pins :8
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.01
Tariff No. 85412900

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