fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOIC N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 15 A |
| RDS -于 | 7.5@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±8 V |
| 典型导通延迟时间 | 20 ns |
| 典型上升时间 | 27 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 95 ns |
| 典型下降时间 | 35 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5@4.5V |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大连续漏极电流 | 15 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 15A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7.5 mOhm @ 15A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4700pF @ 10V |
| 其他名称 | FDS6570A-ND |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 66nC @ 5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 15 A |
| 栅源电压（最大值） | �8 V |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 漏源导通电阻 | 0.0075 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 20 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| 宽度 | 3.9 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| 下降时间 | 35 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | PowerTrench |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 70 S |
| Id - Continuous Drain Current | 15 A |
| 长度 | 4.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | FDS6570A |
| 身高 | 1.75 mm |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| 上升时间 | 27 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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