Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.5@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最大功率耗散 | 68000 |
| 最大连续漏极电流 | 80 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.5 mOhm @ 40A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 68W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2440pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 33nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :80A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :6.5mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.9V |
| 功耗 | :75W |
| Operating Temperature Min | :-65°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-220 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :80A |
| 工作温度范围 | :-65°C to +175°C |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Voltage Vds Typ | :30V |
| Voltage Vgs Max | :1.9V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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