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厂商型号:

FDMS8027S

芯天下内部编号:
3-FDMS8027S
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 8Power 56
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 18 A
RDS -于 5@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 10 ns
典型上升时间 2.3 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型下降时间 6 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 30 V
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 22 A
抗漏源极RDS ( ON) 5 mOhms
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 Power 56
封装 Reel
正向跨导gFS (最大值/最小值) 92 S
栅极电荷Qg 11 nC
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 36 W
工厂包装数量 3000
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 Power 56
最低工作温度 -55
渠道类型 N
最大漏源电阻 5@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 Power 56
最大功率耗散 2500
最大连续漏极电流 18
引脚数 8
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 18A (Ta), 22A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 Power56
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 5 mOhm @ 18A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.5W
输入电容(Ciss ) @ VDS 1815pF @ 15V
其他名称 FDMS8027STR
闸电荷(Qg ) @ VGS 31nC @ 10V
封装/外壳 8-PQFN, Power56
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
外形尺寸 5 x 6 x 1.05mm
身高 1.05mm
长度 5mm
最大漏源电阻 6.8 mΩ
最大功率耗散 36 W
包装类型 Power 56
典型栅极电荷@ VGS 23 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 1365 pF V @ 15
宽度 6mm
系列 FDMS8027S
单位重量 0.003175 oz
RDS(ON) 5 mOhms
正向跨导 - 闵 92 S
Continuous Drain Current Id :22A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :0.0042ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.5V
功耗 :36W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :Power 56
No. of Pins :8
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Weight (kg) 0.003
Tariff No. 85412900

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