fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8Power 56 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 19 A |
| RDS -于 | 4@1V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 典型上升时间 | 5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
| 典型下降时间 | 4 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | Power 56 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 4@1V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | Power 56 |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大连续漏极电流 | 19 |
| 引脚数 | 8 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 19A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-PQFN (5X6), Power56 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4 mOhm @ 18A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2820pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 46nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDMS7672ASCT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 连续漏极电流 | 42 A |
| 系列 | FDMS7672AS |
| 封装/外壳 | Power-56 |
| 单位重量 | 0.003175 oz |
| RDS（ON） | 4 mOhms |
| 功率耗散 | 45 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 正向跨导 - 闵 | 97 S |
| 上升时间 | 5 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 4 ns |
| Continuous Drain Current Id | :42A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :0.0032ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.9V |
| 功耗 | :46W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :Power 56 |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.003 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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