所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8Power 56 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 13@Q 1|30@Q 2 A |
| RDS -于 | 8@10V@Q 1|1.8@10V@Q 2 mOhm |
| 最大门源电压 | ±20@Q 1|±12@Q 2 V |
| 典型导通延迟时间 | 7.7@Q 1|11@Q 2 ns |
| 典型上升时间 | 2.2@Q 1|5@Q 2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 19@Q 1|40@Q 2 ns |
| 典型下降时间 | 1.8@Q 1|3.9@Q 2 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 13A, 30A |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.7V @ 250µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 供应商设备封装 | Power56 |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 8 mOhm @ 13A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 1765pF @ 15V |
| 其他名称 | FDMS3660SFSTR |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 29nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Quad Drain, Triple Source |
| 外形尺寸 | 5 x 5.9 x 1.1mm |
| 身高 | 1.1mm |
| 长度 | 5mm |
| 最大漏源电阻 | 8.7 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 包装类型 | Power56 |
| 引脚数 | 8 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 21 nC @ 10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 1325 pF @ 15 V |
| 宽度 | 5.9mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V, +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | 13 A, 30 A |
| 系列 | FDMS3660S |
| 单位重量 | 0.006032 oz |
| 功率耗散 | 2.2 W, 2.5 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | Power 56 |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :60A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :0.0013ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.5V |
| 功耗 | :2.5W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :Power 56 |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Weight (kg) | 0.01 |
| Tariff No. | 85412900 |
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