fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8Power 56 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 最大连续漏极电流 | 16@Q 1|18@Q 2 A |
| RDS -于 | 6.6@10V@Q 1|3.5@10V@Q 2 mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 7.7@Q 1|9.5@Q 2 ns |
| 典型上升时间 | 1.7@Q 1|3@Q 2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 19@Q 1|24@Q 2 ns |
| 典型下降时间 | 1.4@Q 1|2.2@Q 2 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | Power 56 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.6@10V@Q 1|3.5@10V@Q 2 |
| 最大漏源电压 | 25 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | Power 56 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 最大连续漏极电流 | 16@Q 1|18@Q 2 |
| 引脚数 | 8 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 16A, 18A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 供应商设备封装 | Power56 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.6 mOhm @ 16A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| 功率 - 最大 | 2.3W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1765pF @ 13V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 27nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDMS3616SCT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 封装/外壳 | Power-56-8 |
| Qg - Gate Charge | 19 nC, 31 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 下降时间 | 1.4 nS, 2.2 nS |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 2 Channel |
| 配置 | Dual Asymmetric Triple Drain Triple Source |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 63 S, 84 S |
| Id - Continuous Drain Current | 16 A, 18 A |
| 长度 | 6 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.6 mOhms, 3.5 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 身高 | 1.1 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 2.3 W, 1 W |
| 上升时间 | 1.7 nS, 3 nS |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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